MADRID, 28 (Portaltic/EP)
Samsung Electronics ha compartido sus últimos avances en el área de fundición, que incluyen la hoja de ruta para la fabricación masiva de chips con el proceso de 2 nanómetros y la ampliación de su capacidad de función con la apertura de nuevas líneas de producción.
La estrategia de la compañía surcoreana busca consolidar su competitividad en el área de la fundición, como ha destacado en el marco de la séptima edición del Samsung Foundry Forum, y donde ha afirmado su intención de abordar las necesidades de los clientes en la era de la inteligencia artificial a través de tecnología avanzada de semiconductores.
En este evento Samsung, compartió que la producción en masa de chips móviles fabricados con un proceso de 2 nanómetros comenzará en 2025. Este, además de reducir el área en un 5 por ciento, incrementará el rendimiento en un 12 por ciento y la eficiencia energética en un 25 por ciento.
La compañía planea extender el proceso de 2 nanómetros un después a la computación de alto rendimiento y en 2027 al sector automotriz, año en que también dará comienzo la producción en masa del proceso de 1,4 nanómetros, como recoge en un comunicado.
En 2025 también espera tener listos los chips de radiofrecuencia de 5 nanómetros para la conectividad 6G, y comenzar con los servicios de fundición de los chips GaN de 8 pulgadas, así como expandir chips de radiofrecuencia de 8 y 14 nanómetros al sector automotriz.
Samsung también ha compartido sus planes de ampliar su capacidad de fundición, con la inversión y desarrollo de nuevas líneas de fabricación en Pyeongtaek (Corea del Sur) y Taylor (Texas, Estados Unidos). La Línea 3 de Pyeongtaek comenzará la producción en masa de chips para móviles en la segunda mitad del año mientras que espera que la planta de Taylor esté operativa a finales de 2024.
La compañía surcoreana también ha anunciado la MDI Alliance, en colaboración con sus socios y otros actores de la industria, para crear un ecosistema de tecnología de empaque para integración heterogénea 2.5D y 3D.
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