MADRID, 27 (Portaltic/EP)
La compañía china OnePlus ha dado a conocer este lunes su nuevo sistema de refrigeración activa Active CryoFlux implementada en el diseño de su nuevo ‘smartphone’ OnePlus 11 Concept, que promete reducir la temperatura hasta 2,1 grados centígrados durante las sesiones ‘gaming’.
El fabricante ha dado a conocer este dispositivo en el marco del Mobile World Congress (WMWC) de Barcelona, donde también ha mostrado otros productos, como el OnePlus 11 5G, que integra la nueva tecnología de realidad aumentada desarrollada conjuntamente con Qualcomm y Perfect World Games.
OnePlus ya había mostrado este dispositivo haceunos días, cuando el cofundador de la marca y responsable de Producto en Oppo, Pete Lau, comentó a través de Twitter que el terminal fusionaba “un diseño impresionante con tecnología pionera en la industria”, sin añadir más detalles sobre este sistema.
La compañía ha revelado ahora que esta novedad recibe el nombre de Active CryoFlux, una tecnología de refrigeración móvil “revolucionaria” que, durante sus pruebas de laboratorio, ha demostrado que reduce hasta 2,1 grados centígrados la temperatura del móvil durante las sesiones de juego.
Gracias a esto, el nuevo OnePlus 11 Concept mejora la velocidad de fotografmas en un juego en tres o cuatro grados o en 1,6 grados centógrados durante la cagra, reduciendo el tiempo que necesita estar enchufado entre 30 y 45 segundos.
Para crear esta tecnología, OnePlus ha miniaturizado la capacidad de refrigeración de los juegos de ordenador para encajarla en un ‘smartphone’, que presenta una microbomba cerámica piezoeléctrica de calidad industrial conectada a conductos situadas entre un diafragma superior y otro inferior.
Cabe destacar que la introducción de este sistema no engrosa el OnePlus 11 Concepto, ya que esta microbomba ocupa una superficie inferior a 0,2 centímetros cuadrados, lo que permite que el líquido refrigerante circule por las tuberías sin aumentar su peso y su grosor de forma significativa.
Este terminal deja a la vista esta tecnología gracias a una cubierta trasera transparente y curvada, con una altura de extracción lateral de 5,04 mm. La parte trasera del dispositivo también cuenta con un revestimiento de magnetrón-spluttering en el que el metal y la aleación se depositan en pequeñas cantidades sobre la carcasa, utilizando un campo eléctrico.
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